富士通研究所、次世代FeRAM用新メモリ材料を開発〜1,000億回の書き換えを実現（RBB TODAY）28日16:42

　ふじつうけんきゅうじょととうきょうこうぎょうだいがくは28にちに、じせだいFeRAM（エフイーラム）（ちゅう3）むけのあたらしいメモリざいりょうをかいはつしたことをはっぴょうしたビスマスフェライト（BFO）のせいぶんのいちぶをおきかえたものをもちいることで、1,000おくかいのくりかえしかきかえおよびリークでんりゅうのていげんにせいこうしたとのこと。

しょうさいながぞう

　180nmせだいテクノロジーのFeRAMのメモリざいりょうとして、じゅうらいはチタンさんジルコンさんなまり（PZT）がもちいられているが、びさいかをすすめるとでんかりょうがえられなくなってしまい、130nmせだいテクノロジーへのてきようまでがげんかいといわれていた。このしんざいりょうは、PZTよりおおきなでんかりょうをたくわえられるつとむゆうでんたいであるため、180ナノメートル（nm）せだいのせいひんでさいようされているものとおなじこうぞうのままで、90nmせだいいこうのFeRAMにてきようすることがかのうで、だいようりょうFeRAMのじつようかをかのうにするとのこと。

　こんかい、ビスマスせいぶんのいちぶをサマリウムでおきかえることで、かきかえによるれっかをおさえるぎじゅつと、てつせいぶんのやくはんぶんをクロムにおきかえたゾルゲルようえきをもちいて、BFOをけっしょうかし、リークでんりゅうをていげんするぎじゅつとの「ゾルゲルほう」とよばれるぎじゅつが2しゅるいかいはつされ、かきかえによるれっか、リークでんりゅうをおおはばにていげんさせることがかのうとなった。

　なおほんぎじゅつについてとうきょうこうぎょうだいがくは、もんぶかがくしょうかがくぎじゅつしんこうちょうせいひをうけているとのこと。

【このニュースのかんれんきじ】
ふじつうけんとハインリッヒ・ヘルツけん、ひかりざつおんをていげんするぎじゅつをかいはつ〜まいびょう107Gbpsのひかりしんごうしょりでじっしょう(2008ねん3つき7にち)
ふじつう、じゅうらいひんの1/10いかのサイズのこうそくけいさんノードそうごせつぞくようちょうこがたこうリンクモジュールぎじゅつをかいはつ(2008ねん2つき15にち)
ふじつう、せかいさいしょうとなるモバイルWiMAXたんまつむけRFモジュールをしんはつばい〜MIMOぎじゅつにたいおう(2008ねん2つき7にち)
ふじつうけん、ひょうじゅんCMOSぎじゅつで77GHzどうさのこうしゅつりょくぞうふくきをかいはつ――ITSしゃさいレーダなどにおうようかのう(2008ねん2つき4にち)
ふじつうけんきゅうじょ、じせだいフラッシュメモリをになうていしょうひでんりょくReRAMをかいはつ(2007ねん12つき14にち)