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ふじつうけんきゅうじょ・とうきょうこうぎょうだいがく、じせだいFeRAMむけあたらしいめもりざいりょうをはっぴょう(japan.internet.com)28にち18:13

富士通研究所・東京工業大学、次世代 FeRAM 向け新しいメモリ材料を発表(japan.internet.com)28日18:13

Fri, 28 Mar 2008 18:13:26



かぶしきがいしゃふじつうけんきゅうじょとこくりつだいがくほうじんとうきょうこうぎょうだいがくは、じせだいFeRAM(エフイーラム)むけのあたらしいメモリざいりょうをかいはつしたとはっぴょうした。

このしんざいりょうは、じせだいFeRAMのざいりょうとしてきたいされているビスマスフェライトのせいぶんのいちぶをおきかえたもの。こんかい、このざいりょうをもちいることで、1,000おくかいのくりかえしかきかえおよびリークでんりゅうのていげんにせいこうした。

しんざいりょうは、180nmせだいのせいひんでさいようされているものとおなじこうぞうのままで、90nmせだいいこうのFeRAMにてきようすることができ、だいようりょうFeRAMのじつようかをかのうにする。

こんかい、ビスマスフェライトのせいぶんのいちぶをおきかえたゾルゲルようえきをもちいて、ビスマスフェライトをけっしょうかするゾルゲルほうとよばれるぎじゅつを2しゅるいかいはつ。

ひとつは、ビスマスせいぶんのいちぶをサマリウムでおきかえることで、かきかえによるれっかをおさえるぎじゅつ。てつせいぶんのやくはんぶんをクロムにおきかえたゾルゲルようえきをもちいて、ビスマスフェライトをけっしょうかし、リークでんりゅうをていげんする。

また、ビスマスせいぶんのいちぶをサマリウムへおきかえたメモリざいりょうは、かきかえによるれっかがおおはばにかいぜんし、PZTでのかきかえかいすうのげんかいをこす、1,000おくかいまでどうさすることをかくにんした。

どうしゃは「せいかにより、ビスマスフェライトはPZTにかわるFeRAMのメモリざいりょうとしてゆうこうであり、さらに90nmせだいから65nmせだいにおいても、げんこうの180nmせだいのせいひんでりようされているものとおなじこうぞうでじつようかすることがかのうとなり、だいようりょうかのみとおしをえることができた」としている。



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